IRFL110TRPBF-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFL110TRPBF-BE3
- 商品编号
- C3280037
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
AOH3106将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
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