- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 热阻RθJA值是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量得到的，在任何给定应用中的值取决于用户的具体电路板设计。
- 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C，采用≤10秒的结到环境热阻。
- 重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制。额定值基于低频和占空比，以保持初始TJ = 25°C。
- RθJA是结到引脚热阻RθJL和引脚到环境热阻之和。
- 图1至图6中的静态特性是使用<300μs脉冲、最大占空比0.5%获得的。
- 这些曲线基于结到环境热阻抗，该阻抗是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，假设最大结温TJ(MAX) = 150°C时测量得到的。SOA曲线提供单脉冲额定值。