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IXFN32N120P
1个N沟道 耐压:1200V 电流:32A
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- 描述
- 特性：国际标准封装-miniBLOC，带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低RDS(on) HDMOST™工艺。应用：高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN32N120P
- 商品编号
- C3280077
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.654052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的制造工艺，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松实现自动拾放，并且由于散热片的散热片面积增大，还具有改善散热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可达1.0W。
商品特性
- 国际标准封装
- miniBLOC,带氮化铝隔离
- 隔离电压 2500 V~
- 高电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 低 RDS(on) HDMOST 工艺
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高压开关模式和谐振模式电源-高压脉冲功率应用-激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路-高压 DC-DC 转换器-高压 DC-AC 逆变器