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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
RM6A5P30S8采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低 \mathsfR\mathsfDS(on)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 防潮等级 1 级
- 无卤,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准(后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准)
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理