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XP151A11B0MR-G
1个N沟道 耐压:30V 电流:1A
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- 描述
- XP151A11B0MR-G是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可以高效地配置该IC，从而节省能源。为了应对静电，该器件内置了一个栅极保护二极管
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP151A11B0MR-G
- 商品编号
- C3280104
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |