IXFN94N50P2
N沟道增强型MOSFET,电流:68A,耐压:500V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN94N50P2
- 商品编号
- C3280088
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 780W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能。这些产品非常适合低压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
商品特性
-国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离-动态 dv/dt 额定值-雪崩额定-快速本征二极管-低栅极电荷(QG)-低导通电阻(Rds(ON))-低漏极到散热片电容-低封装电感-易于安装-节省空间
应用领域
-DC-DC 转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-高速功率开关应用