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DMN65D9L-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:335mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN65D9L-7
- 商品编号
- C3280139
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 335mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 670mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光源