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AOH3106
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 描述
- AOH3106 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光等领域的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOH3106
- 商品编号
- C3280060
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2652克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
这款13.6 V、25 W的器件专为陆地移动无线电（LMR）应用而设计，支持从高频（HF）到941 MHz的频率范围。
商品特性
- 高效率
- 集成双面静电放电（ESD）保护
- 极高的坚固性，驻波比65 : 1
- 高功率增益
- 出色的可靠性
- 宽带
- 高线性度
应用领域
- VHF和UHF频段的TETRA、单边带（SSB）和长期演进（LTE）移动无线电应用
- 宽带无线电应用，频率范围为380 MHz至460 MHz以及800 MHz至870 MHz