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TSM950N10CW RPG

1个N沟道耐压:100V 电流:6.5A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM950N10CW RPG
商品编号: C3280039
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.213215克(g)

商品参数

商品概述

适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为616 MHz至960 MHz。

商品特性

出色的耐用性
高效率
低热阻，具备出色的热稳定性
较低的输出电容，可提升Doherty应用中的性能
专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
内部匹配，使用方便
集成ESD保护

应用领域

适用于616 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	9W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	9.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.48nF@50V
	反向传输电容(Crss)	35pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道