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NDT451AN
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A
- 描述
- Power SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT451AN
- 商品编号
- C3280052
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |