IRLL014TRPBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:1.7A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLL014TRPBF-BE3
- 商品编号
- C3280035
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
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