AUIRFL024NTR
N沟道,电流:2.8A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFL024NTR
- 商品编号
- C3280033
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
适用于基站应用的140 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2496 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 允许在结温最大值(Tjmax)下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*
应用领域
- 适用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的LTE基站和多载波应用的射频功率放大器