IRF8252PBF
25V, 25A, 2.7mΩ N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8252PBF
- 商品编号
- C3279794
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.305nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 725pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.34nF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 在4.5V VGS下具有极低的RDS(on)
- 超低的栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压VGS为20V
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准(无卤)
- 低热阻
应用领域
-笔记本电脑处理器电源的同步MOSFET-隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET