HP4410DYT
单N沟道,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HP4410DYT
- 商品编号
- C3279808
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- -13 A，-30 V。在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 9 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 13 mΩ
- 扩展的VGSS范围（±25 V），适用于电池应用
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力