NTMD4N03R2
N沟道, 4A, 30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD4N03R2
- 商品编号
- C3279813
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。
商品特性
- 专为低压、高速开关应用设计
- 超低导通电阻,可提高效率并延长电池寿命
- 当VGS = 10V(典型值)时,RDS(ON) = 0.048Ω
- 当VGS = 4.5V(典型值)时,RDS(ON) = 0.065Ω
- 微型SO - 8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
应用领域
- DC - DC转换器
- 计算机
- 打印机
- 移动电话和无绳电话
- 磁盘驱动器和磁带驱动器