SSD2025TF
双N沟道,电流:3.3A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSD2025TF
- 商品编号
- C3279853
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固耐用的栅极结构。它针对电源管理应用进行了优化，可适应较宽范围的栅极驱动电压（2.5V - 12V）。
商品特性
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 90 mΩ
- 5 A、-20 V，在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ
- 扩展的VGSS范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC转换-电源管理