FDS6676S
N沟道,电流:14.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6676S
- 商品编号
- C3279917
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 304pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 826pF |
商品概述
RM2P60S2采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- RDS(ON) 9.0 mΩ(VGS = 4.5 V 时)
- 14.5 A、30 V,RDS(ON) 7.5 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值43nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON) 和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器