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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装（SOP8）
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关