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RSS070P05HZGTB
1个P沟道 耐压:45V 电流:7A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 小型表面贴装封装 (SOP8)。 无铅镀层；符合 RoHS 标准。 无卤素。 100% 镀锡。 通过 AEC-Q101 认证。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSS070P05HZGTB
- 商品编号
- C3279966
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1000uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- -4A，-30V。在VGS = -10V时，RDS(ON) = 0.065Ω
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 0.1Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力。
- 表面贴装封装的双MOSFET。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路