UPA3753GR-E1-AX
双N沟道,电流:5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA3753GR-E1-AX
- 商品编号
- C3279994
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用带陶瓷帽的4引脚SOT121B带凸缘封装的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体（D-MOS）晶体管。所有引脚与凸缘绝缘。 提供显示栅源电压（VGS）信息的标记代码，适用于配对应用。
商品特性
- 双芯片类型
- 低导通电阻
- 最大RDS(ON) = 56 mΩ(VGS = 10 V,ID = 2.5 A)
- 最大RDS(ON) = 72 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 2.5 A)
- 低栅极电荷
- 典型QG = 13.4 nC(VGS = 10 V)
- 小型表面贴装封装(SOP-8)
应用领域
- 专为高频（HF）/甚高频（VHF）频段的工业应用而设计。
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