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MCQ4503B-TP
双沟道N/P沟道 MOSFET,电流:5.6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ4503B-TP
- 商品编号
- C3279999
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
RM4606S8采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻(RDS(on))的高密度单元设计
- 高速开关
- 无卤
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准。请参阅订购信息)