TSM4436CS RLG
1个N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 商品型号
- TSM4436CS RLG
- 商品编号
- C3279935
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最小化导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关、电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 高端直流/直流转换
- 笔记本电脑
- 服务器(注:原文Severp可能为Server拼写错误)
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