UPA2735GR-E1-AX
P沟道,电流:-16A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2735GR-E1-AX
- 商品编号
- C3279937
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.85nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- -2.9A，-30V。在VGS = -10V时，RDS(ON) = 0.13Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路
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