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SI4894BDY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4894BDY-T1-E3
- 商品编号
- C3279930
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如DC/DC转换、磁盘驱动器电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- DC/DC转换-磁盘驱动器电机控制-其他电池供电电路
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