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SI4816BDY-T1-E3
双N沟道,电流:6.8A,耐压:30V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-E3
- 商品编号
- C3279887
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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