RF1K4915496
双N沟道,电流:2A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RF1K4915496
- 商品编号
- C3279903
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2A,60V
- rDS(ON) = 0.130 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关