AO4498
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 直流-直流转换器-同步MOSFET-打印机