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SI4430BDY-T1-E3

N沟道,电流:20A,耐压:30V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4430BDY-T1-E3
商品编号: C3279894
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

FDFS2P103在SO - 8封装中将仙童半导体公司的PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与极低正向压降的肖特基势垒整流器相结合。该器件专为直流 - 直流转换器提供单封装解决方案。其特点是具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET，且导通电阻极低。独立连接的肖特基二极管使其可用于各种直流 - 直流转换器拓扑。

商品特性

5.3 A，-30 V，VGS = -10 V时，RDS(ON) = 59 mΩ
VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 92 mΩ
1 A（TJ = 125°C）时，VF < 0.52 V
1 A（TJ = 25°C）时，VF < 0.57 V
肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO - 8封装中
肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，便于灵活设计

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	6mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	36nC
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	7.5pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道