SI9936DY
2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI9936DY
- 商品编号
- C3279900
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款双N沟道功率MOSFET采用最新的制造工艺技术制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能充分利用硅材料，从而实现卓越性能。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用而设计。这些器件可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 5.0 A,30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.050 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.080 Ω
- 栅极电荷低。
- 开关速度快。
- 功率和电流处理能力强。
应用领域
-电池开关-负载开关-电机控制