温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI9435BDY-T1-E3
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9435BDY-T1-E3
- 商品编号
- C3279889
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款指定为1.8V的P沟道MOSFET是飞兆半导体先进的PowerTrench工艺的耐用栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（1.8V - 8V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -13.5 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 8.5 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 在VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 14 mΩ
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高电流和功率处理能力
- SO-8封装
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护
相似推荐
其他推荐
- SI4430BDY-T1-E3
- SI4413ADY-T1-GE3
- SQ4182EY-T1_BE3
- SQ4940AEY-T1_BE3
- SI4564DY-T1-GE3
- SQ4410EY-T1_GE3
- SI4894BDY-T1-E3
- IRFL9110TRPBF-BE3
- IRLL014TRPBF-BE3
- IRFL110TRPBF-BE3
- IRFL210TRPBF-BE3
- SQ2318AES-T1_BE3
- SQ2337ES-T1_BE3
- SQ2308CES-T1_BE3
- SQ2315ES-T1_BE3
- SQ2398ES-T1_BE3
- SI2304DDS-T1-BE3
- SI2307CDS-T1-BE3
- SI2324DS-T1-BE3
- SQ2319ADS-T1_BE3
- SIHF080N60E-GE3