SI4467DY
P沟道,电流:13.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4467DY
- 商品编号
- C3279872
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.237nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.497nF |
商品概述
FDFS2P102A在SO-8封装中集成了PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与极低正向压降的肖特基势垒整流器。 该器件专为DC-DC转换器提供单封装解决方案。其特点是具有快速开关、低栅极电荷且导通电阻极低的MOSFET。独立连接的肖特基二极管使其可用于各种DC/DC转换器拓扑。
商品特性
- -3.3 A，-20 V；VGS = -10 V时，RDS(ON) = 125 mΩ
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 200 mΩ
- 1 A（TJ = 125°C）时，VF < 0.39 V
- 1 A时，VF < 0.47 V
- 2 A时，VF < 0.58 V
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO-8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，设计灵活