SI4425DY
单P沟道,电流:-11A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4425DY
- 商品编号
- C3279885
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品特性
- -11 A,-30 V。RDS(ON) = 0.014 Ω(VGS = -10 V时),RDS(ON) = 0.020 Ω(VGS = -4.5 V时)
- 低栅极电荷(典型值30nC)。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。
- SOT - 23
- SuperSOTTM - 6
- SuperSOTTM - 8
- SOT - 223
- SOIC - 16
应用领域
- 笔记本电脑应用:负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换