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SQ4532AEY-T1_BE3

N沟道和P沟道,电流:7.3A,耐压:30V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4532AEY-T1_BE3
商品编号: C3279884
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积下尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	7.3A
	导通电阻(RDS(on))	31mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.3W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	7.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	535pF
	反向传输电容(Crss)	53pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	123pF