FDS6986S
双N沟道,电流:7.9A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6986S
- 商品编号
- C3279880
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
商品概述
FDS6994S旨在取代同步DC:DC电源中的两个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管，这些电源为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外设电压。FDS6994S包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平PowerTrench MOSFET，旨在最大限度提高电源转换效率。 高端开关（Q1）特别注重降低开关损耗，而低端开关（Q2）则经过优化以降低传导损耗。Q2还采用仙童半导体的单片SyncFET技术集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- Q2：经过优化以最小化传导损耗，包含SyncFET肖特基体二极管
- 8.2A、30V，VGS = 10V时，RDS(on) = 15 mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(on) = 17.5 mΩ
- Q1：针对低开关损耗进行优化，栅极电荷低（典型值为85.5 nC）
- 6.9A、30V，VGS = 10V时，RDS(on) = 21 mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(on) = 26 mΩ