FDS6994S
双通道笔记本电源供应N沟道MOSFET,电流:8.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6994S
- 商品编号
- C3279863
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这种MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- Q2:经过优化以最小化传导损耗,包含SyncFET肖特基体二极管
- 8.2A、30V,VGS = 10V时,RDS(on) = 15 mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(on) = 17.5 mΩ
- Q1:针对低开关损耗进行优化,栅极电荷低(典型值为85.5 nC)
- 6.9A、30V,VGS = 10V时,RDS(on) = 21 mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(on) = 26 mΩ
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器