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SI4922BDY-T1-E3

双N沟道,电流:8A,耐压:30V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4922BDY-T1-E3
商品编号: C3279865
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积下尽可能低的导通电阻，从而具备出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，其二极管的反向恢复时间极短，存储电荷极少。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
沟槽式场效应功率MOSFET
100%进行Rq和UIS测试
符合RoHS指令2002/95/EC
N沟道MOSFET

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	24mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	3.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V
	栅极电荷量(Qg)	62nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.07nF
	反向传输电容(Crss)	135pF
	工作温度	-50℃~+150℃
	类型	N沟道