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SI4386DY-T1-GE3

N沟道,电流:16A,耐压:30V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4386DY-T1-GE3
商品编号: C3279837
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

IRF8252PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术融入行业标准的SO-8封装中。IRF8252PbF针对同步降压操作中的关键参数（包括Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品成为为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。

商品特性

符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
TrenchFET 第二代功率 MOSFET
脉宽调制(PWM)优化
100% 进行栅极电阻(Rg)测试

应用领域

个人电脑(PC)的直流 - 直流(DC/DC)转换

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	9.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	20W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	11nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道