温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SQ4410EY-T1_BE3

1个N沟道耐压:30V 电流:15A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4410EY-T1_BE3
商品编号: C3279844
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这款功率 MOSFET 采用创新工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积下尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管的反向恢复时间极短，存储电荷极少。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准且无卤
N沟道MOSFET

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
低压总线开关
便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	12mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	5W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	53nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.385nF
	工作温度	-55℃~+175℃