AO4405E
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4405E
- 商品编号
- C3279848
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 495pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款采用热增强型SO8 FLMP封装的N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计。它在低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）之间实现了平衡，非常适合隔离和非隔离拓扑中的同步整流器应用。它也非常适合负载点转换器中的高端和低端开关应用。
商品特性
- 沟槽功率低压(P沟道)MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 静电放电保护
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
-该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。