SI4864DY-T1-GE3
N沟道,电流:25A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4864DY-T1-GE3
- 商品编号
- C3279850
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.4pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极。它针对电源管理应用进行了优化，支持宽范围的栅极驱动电压（2.5V - 12V）。
商品特性
- 5A、-20V，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 75mΩ
- VGS = -3.0V时，RDS(ON) = 105mΩ
- VGS = -2.7V时，RDS(ON) = 115mΩ
- 扩展的VGSS范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC转换
- 电源管理
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