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HUFA76404DK8T

N沟道,电流:3.2A,耐压:62V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUFA76404DK8T
商品编号
C3279851
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)62V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))132mΩ@5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)4.9nC@5V
输入电容(Ciss)250pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)80pF

商品特性

  • rDS(ON) = 110 mΩ(典型值),VGS = 5 V,ID = 3.2 A
  • Qg(tot) = 3.8 nC(典型值),VGS = 5 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷(QRR)体二极管
  • 高频下效率优化
  • 具有非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 内部RG = 100 Ω
  • 通过AEC Q101认证

应用领域

  • 电机/车身负载控制
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 动力总成管理
  • 喷射系统
  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V和24V系统的初级开关

数据手册PDF