FDS7779Z
1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7779Z
- 商品编号
- C3279861
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- Q1：N沟道
- 5.5 A，40 V
- 当VGS = 10 V时，RDS（on） = 39 mΩ
- 当VGS = 7 V时，RDS（on） = 57 mΩ
- Q2：P沟道
- -4.4 A，-40 V
- 当VGS = -10 V时，RDS（on） = 46 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS（on） = 63 mΩ
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高处理能力
应用领域
- 电机控制-DC/DC转换