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SI4100DY-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI4100DY-T1-GE3

1个N沟道 耐压:100V 电流:6.8A

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描述
特性：无卤（根据 IEC 61249-2-21）。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% IIS 测试。应用：高频升压转换器。 LCD TV 的 LED 背光
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4100DY-T1-GE3
商品编号
C3279849
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.173181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))84mΩ@6V
耗散功率(Pd)6W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF

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