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FDS6575
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2）的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6575
- 商品编号
- C3279847
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.951nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 451pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 884pF |
商品概述
这款 RChannel 2.5V 指定 MOSFET 是仙童半导体（Fairchild Semiconductor）先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 8V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -10 A，-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 13 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 17 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高电流和功率处理能力
- SO-8 封装
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护