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SI4835DDY-T1-E3
P沟道,电流:-13A,耐压:-30V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4835DDY-T1-E3
- 商品编号
- C3279846
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDQ7238AS旨在替代直流到直流电源中的两个单SO - 8 MOSFET。高端开关（Q1）特别注重降低开关损耗，而低端开关（Q2）则采用仙童半导体的SyncFET™技术进行优化，以降低传导损耗。FDQ7238AS包含一个与肖特基二极管单片集成的MOSFET专利组合。
商品特性
- Q2：14 A，30V。在VGS = 10 V时，RDS(on) = 8.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 10.5 mΩ
- Q1：11 A，30V。在VGS = 10 V时，RDS(on) = 13.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 16 mΩ
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