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SI9926CDY-T1-E3
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9926CDY-T1-E3
- 商品编号
- C3279829
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
- P沟道MOSFET
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