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ALD111933SAL

2个N沟道耐压:10.6V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD111933SAL
商品编号: C3279822
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD11933是一款高精度单片双N沟道增强型匹配对MOSFET阵列,采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件适用于精密纳瓦、低电压、小信号应用。ALD11933的两个MOSFET器件均具有精确匹配的+3.30V阈值电压,最大失调电压为20mV。这两个关键特性使极低功耗(纳瓦级)精密比较器电路功能成为可能,阈值电压本身可用作零(接近零漏极电流)功率粗电压基准。

ALD11933 MOSFET的设计和制造具有出色的器件电气特性匹配。由于这些器件位于同一单片芯片上,它们还具有出色的温度系数跟踪特性。每个器件作为电路元件用途广泛,是各种精密模拟应用的有用设计组件。它们是电流镜、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。对于大多数应用,将V - 和IC引脚连接到印刷电路板上系统中的最低负电压电位。所有其他引脚的电压必须在V + 和V - 电压限制范围内。

ALD11933器件专为实现最小失调电压和差分热响应而设计,适用于+3.0V至+10V系统中的开关和放大应用,这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件,它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无穷大)的电流增益。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益导致通过栅极输入的电流损耗极低,从而能够以极低的输入功率进行控制,并实现纳瓦级功耗的电路功能。

商品特性

增强型(常开)
精确的栅极阈值电压:+3.30V
MOSFET之间特性匹配
严格的批次间参数控制
MOSFET并联以增加漏极电流
低输入电容
VGS(th)匹配(失调电压)至20mV
高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
正、零和负VGS(th)温度系数
直流电流增益 >10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-分立电压比较器-电压偏置电路-采样和保持电路-模拟反相器-电平转换器-源极跟随器和缓冲器-电流倍增器-分立模拟多路复用器/矩阵-分立模拟开关-低电流电压钳位器-电压检测器-电容式探头-传感器接口-峰值检测器-多预设电压迟滞电路(与其他VGS(TH) EPAD MOSFET配合使用)-能量收集电路-零待机功率电压监测器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	80mA
	导通电阻(RDS(on))	500Ω@7.3V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	3.3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	2.5pF
	反向传输电容(Crss)	0.1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	配置	-
	类型	N沟道