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ALD111933SAL

2个N沟道耐压:10.6V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD111933SAL
商品编号: C3279822
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品特性

增强型(常开)
精确的栅极阈值电压:+3.30V
MOSFET之间特性匹配
严格的批次间参数控制
MOSFET并联以增加漏极电流
低输入电容
VGS(th)匹配(失调电压)至20mV
高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
正、零和负VGS(th)温度系数
直流电流增益 >10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-分立电压比较器-电压偏置电路-采样和保持电路-模拟反相器-电平转换器-源极跟随器和缓冲器-电流倍增器-分立模拟多路复用器/矩阵-分立模拟开关-低电流电压钳位器-电压检测器-电容式探头-传感器接口-峰值检测器-多预设电压迟滞电路(与其他VGS(TH) EPAD MOSFET配合使用)-能量收集电路-零待机功率电压监测器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	80mA
	导通电阻(RDS(on))	500Ω@7.3V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	3.3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	2.5pF
	反向传输电容(Crss)	0.1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	配置	-
	类型	N沟道