SQ4470EY-T1_BE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4470EY-T1_BE3
- 商品编号
- C3279826
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.165nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化,在小封装中提供极低的RDS(ON)。
商品特性
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 6.0 mΩ
- 21 A、20 V,在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 4.5 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
- 同步整流器-DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- SI4490DY-T1-GE3
- SI9926CDY-T1-E3
- SQ4284EY-T1_BE3
- SI4413ADY-T1-E3
- SI4386DY-T1-GE3
- SQ4410EY-T1_BE3
- SI4835DDY-T1-E3
- SI4100DY-T1-GE3
- SI4864DY-T1-GE3
- SI4922BDY-T1-E3
- SI4153DY-T1-GE3
- SQ4470EY-T1_GE3
- SI4963BDY-T1-E3
- SQ4532AEY-T1_BE3
- SQ4937EY-T1_BE3
- SI4816BDY-T1-E3
- SI9435BDY-T1-E3
- SI4430BDY-T1-E3
- SI4413ADY-T1-GE3
- SQ4182EY-T1_BE3
- SQ4940AEY-T1_BE3
