MMDF3N03HDR2
N沟道,电流:3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDF3N03HDR2
- 商品编号
- C3279835
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5V 时，RDS(ON) = 50 mΩ
- 6.2A，-20V，在 VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 33 mΩ
- 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围（±12V）
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理