MMDF3N03HDR2
N沟道,电流:3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDF3N03HDR2
- 商品编号
- C3279835
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 极低的RDS(导通)电阻,可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动,可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥接电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制