SI4466DY
单N沟道,电流:15A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4466DY
- 商品编号
- C3279834
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 15 A、20 V。VGS = 4.5 V 时,RDS(on) = 0.0075 Ω
- VGS = 2.5 V 时,RDS(on) = 0.010 Ω
- 低栅极电荷(典型值 47nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,可实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC 转换器-负载开关-电池保护